准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的THz光谱

摘要：

准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe3间接带隙的大小,并采用超快太赫兹光谱(太赫兹时域光谱和光泵浦-太赫兹探测光谱)研究了准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的相关性质.结果表明,准二维CrGeTe3的间接带隙大小为0.38 eV;在1 THz附近的折射率约为3.2,吸收系数约为380 cm–1;780 nm激光泵浦后的光载流子符合双指数弛豫过程,存在快慢两个寿命,由电子-空穴对的复合主导,复光电导率的Drude-Smith模型拟合展示了微观系统的相关参量随时间的演化.本文主要展示了CrGeTe3在太赫兹波段的光谱及其相关性质,对光电子学等领域的研究具有借鉴意义.

关键词：范德瓦耳斯铁磁半导体、时间分辨光谱、太赫兹光谱

所属期刊栏目：71

分类号：O433.4;O648;TN201

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;上海市科学技术委员会科技创新行动计划;资助的课题

在线出版日期：2022-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：362-368