分数阶忆阻耦合异质神经元的多稳态及硬件实现

摘要：

不同的神经元之间具有异质性,神经元活动具有很大的差异,因此研究异质神经元之间的耦合越来越受到关注.本文将Hindmarsh-Rose神经元模型和Hopfield神经元模型经过忆阻电磁感应耦合,构成一个新的神经元模型.利用相图、分岔图、李雅普诺夫指数图和吸引盆,证明对于耦合强度和其他参数,新的神经元模型表现出不同吸引子共存现象.在保持相关参数不变时,通过改变初始状态,可以观察到系统的多稳态现象,包括不同周期的共存,周期与混沌现象的共存等.最后基于高级RISC机(advanced RISC machine,ARM)的微控制单元(micro control unit,MCU)实现了该神经元模型,实验结果表明理论分析的有效性.

关键词：异质神经元、忆阻、吸引子共存、多稳态

所属期刊栏目：71

分类号：TP3;TN911.22;TP273

在线出版日期：2022-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：14-21