InSb(111)衬底上外延生长二维拓扑绝缘体锡烯/铋烯的差异性研究

摘要：

近些年, 人们对拓扑材料体系的认知得到了飞速发展. 随着量子信息科学与技术成为当下科学研究的热点, 具有大能隙高稳定性的低维拓扑材料有从基础研究向应用探索的趋势发展. 如何实现高质量、大面积的单晶生长是影响拓扑材料走向实用化的重要一步. 本文报道了在具有Sb原子终止面的InSb(111)衬底上利用分子束外延技术生长低维拓扑绝缘体锡烯与铋烯的实验结果. 实验中发现, 无论是锡烯还是铋烯, 起始外延阶段都会在衬底上形成单层的浸润层. 由于锡原子之间的相互作用远强于其与衬底的表面结合力, 因此浸润层呈岛状生长, 晶畴岛与岛合并的过程中边界效应明显, 导致薄膜实际上由大量小晶畴拼接而成, 畴壁处的缺陷难以避免. 而浸润层的晶体学质量又限制了后续锡烯薄膜的外延行为, 因此实验发现难以实现高质量且层数准确可控的单晶锡烯薄膜生长. 而铋原子与衬底表面的结合能强于原子之间的相互作用, 能够在较高温度下实现浸润层的单层层状生长, 高质量的浸润层为后续铋烯的生长提供了良好的外延过渡层, 因此发现实验中更容易得到大面积的铋烯薄膜. 本文实验结果及相关理解对于利用半导体衬底生长低维拓扑晶体薄膜具有指导意义.

关键词：低维拓扑绝缘体、锡烯、铋烯、分子束外延

所属期刊栏目：71

分类号：TN304.054.4;O484.1;G40-057

资助基金：国家重点研发计划;国家重点研发计划;中国科学院战略性先导科技专项;资助的课题

在线出版日期：2022-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：215-223