基于制备成功率和量子效率提升的Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极

摘要：

为制备产生高品质电子源的高量子效率半导体Cs-Te光阴极,基于INFN-LASA的Cs-Te光阴极制备方法,发展一套Te断续、Cs持续沉积制备Cs-Te光阴极的方法.在SINAP和SARI的光阴极制装置上制备的Cs-Te光阴极,波长265 nm紫外光照射下,量子效率大于5％,并且制备成功率达到100％.只要制备腔室真空好于10–8 Pa,这套制备方法就能制备高量子效率的Cs-Te光阴极,且不因制备装置和操作人员的改变而改变.

关键词：光阴极、Te断续、Cs持续沉积、量子效率

所属期刊栏目：71

分类号：TM248;O211.4;TN312.8

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;上海市自然科学基金;上海市市级科技重大专项;资助的课题

在线出版日期：2022-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：385-392