高温对MOSFET ESD防护器件维持特性的影响

摘要：

静电放电?(electro-static?discharge,?ESD)?防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数,?但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险.?本文研究了ESD防护结构N沟道金属-氧化物-半导体(N-channel?metal?oxide?semiconductor,?NMOS)在30—195?℃的工作温度下的维持特性.?研究基于0.18?μm部分耗尽绝缘体上硅工艺下制备的NMOS器件展开.?在不同的工作温度下,?使用传输线脉冲测试系统测试器件的ESD特性.?实验结果表明,?随着温度的升高,?器件的维持电压降低.?通过半导体工艺及器件模拟工具进行二维建模及仿真,?提取并分析不同温度下器件的电势、电流密度、静电场、载流子注入浓度等物理参数的分布差异.?通过研究以上影响维持电压的关键参数随温度的变化规律,?对维持电压温度特性的内在作用机制进行了详细讨论,?并提出了改善维持电压温度特性的方法.

关键词：静电放电、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、维持电压、高温

所属期刊栏目：71

分类号：TN386;TN4;TN701-4

资助基金：国家自然科学基金;资助的课题

在线出版日期：2022-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：489-496