单层MoS2薄膜的NaCl双辅助生长方法

摘要：

以单层二硫化钼(MoS2)为代表的过渡金属硫族化合物半导体材料具有良好的光学、电学性质,?近十年来引起了人们广泛的研究兴趣.?合成高质量单层MoS2薄膜是科学研究及工业应用的基础.?最近科研人员提出了盐辅助化学气相沉积生长单层薄膜的方法,?大大提高了单层MoS2薄膜的生长速度及晶体质量.?本文基于此方法,?提出利用氯化钠(NaCl)的双辅助方法,?成功制备了高质量的单层MoS2薄膜.?光致发光(PL)谱显示其发光强度比无NaCl辅助生长的样品有了明显的提高.?本文提出的NaCl双辅助生长方法为二维材料的大规模生长提供了思路.

关键词：二硫化钼、化学气相沉积、氯化钠双辅助作用、单层薄膜生长

所属期刊栏目：71

分类号：TB383;TN304.2;O614.612

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;资助的课题

在线出版日期：2022-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：481-488