质子辐照作用下浮栅单元的数据翻转及错误退火

摘要：

本文利用60 MeV质子束流, 开展了NAND (not and) flash存储器的质子辐照实验, 获取了浮栅单元的单粒子翻转截面, 分析了浮栅单元错误的退火规律, 研究了质子辐照对浮栅单元的数据保存能力的影响. 实验结果表明, 浮栅单元单粒子翻转截面随质子能量的升高而增大, 随质子注量的升高而减小. 浮栅单元错误随着退火时间的推移持续增多, 该效应在低能量质子入射时更为明显. 经质子辐照后, 浮栅单元的数据保存能力有明显的退化. 分析认为高能质子通过与靶原子的核反应, 间接电离导致浮栅单元发生单粒子翻转, 翻转截面与质子注量的相关性是因为浮栅单元单粒子敏感性的差异. 质子引起的非电离损伤会在隧穿氧化层形成部分永久性的缺陷损伤, 产生可以泄漏浮栅电子的多辅助陷阱导电通道, 导致浮栅单元错误增多及数据保存能力退化.

关键词：flash存储器、质子辐照、单粒子翻转、多陷阱辅助导电通道

所属期刊栏目：71

分类号：TP3;TN911;TN713.7

在线出版日期：2022-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：383-389