硒化锗纳米片在氧气和丁烷气体中的电导性能

摘要：

利用机械剥离和高温减薄方法制备了厚度约为5 nm的GeSe纳米片,并通过设计实验装置测试了GeSe纳米片在不同浓度氧气(O2)和丁烷(C4H10)气体中的电导性能.结果表明,随着氧气浓度的增加,GeSe纳米片在相同电压下所测得的电流增大,而在丁烷气体中所测得的电流减小.通过第一性原理计算发现,O2分子从GeSe获得电子.气体浓度越大,P型半导体GeSe主要载流子空穴的浓度也越大,从而电导率增大.当GeSe吸附丁烷气体时,随着丁烷气体浓度的增加,相同电压下电导率减小.其原因可归结为GeSe薄膜器件在加工过程中从空气中吸附了O2分子,由于薄膜中存在较高密度的Se空位,导致O2的高密度吸附.从而导致在吸附还原性气体时,丁烷气体易失电子.即电子从丁烷气体分子中转移到GeSe薄膜表面与空穴中和,降低了GeSe薄膜中的载流子空穴浓度,从而降低电导率.本文的研究有助于GeSe纳米片在氧气和丁烷气中的光电器件应用.

关键词：GeSe纳米片、电导、气体吸附、第一性原理

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资助基金：湖南省自然科学基金;湖南省重点领域研发计划;湖南省学位与研究生教育改革研究项目;湖南省大学生创新性研究项目

在线出版日期：2021-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：324-331