一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型

摘要：

圆柱形双栅场效应晶体管(CSDG MOSFET)是在围栅MOSFET器件增加内部控制栅而形成, 与双栅、三栅及围栅MOSFET器件相比, 圆柱形双栅MOSFET提供了更好的栅控性能和输出特性. 本文通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程, 得到了圆柱形双栅MOSFET的电势模型; 进一步对反型电荷沿沟道积分, 建立其漏源电流模型. 分析讨论了圆柱形双栅MOSFET器件的电学特性, 结果表明: 圆柱形双栅MOSFET外栅沿沟道的最小表面势和器件的阈值电压随栅介质层介电常数的增大而减小, 其漏源电流和跨导随栅介质层介电常数的增大而增大; 随着器件参数的等比例缩小, 沟道反型电荷密度减小, 其漏源电流和跨导也减小.

关键词：圆柱形双栅场效应晶体管;模型;栅介质;电学特性

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资助基金：广东省重点领域研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2021-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：249-256