双极型晶体管总剂量效应的统计特性

摘要：

双极型晶体管的总电离剂量辐照效应主要体现在基极电流(IB)的退化,其作用机理是电离辐射在SiO2中及Si/SiO2界面作用导致的氧化物陷阱电荷面密度(Not)和界面陷阱电荷面密度(Nit)的增长.本文基于定制设计的栅控横向PNP晶体管,开展了大样本、多剂量点的电离总剂量效应实验,获得了双极型晶体管IB,Not,Nit的分散性及其随总剂量变化的统计特性,初步建立了晶体管损伤分散性与Not分散性的关联.该研究成果可以有效支撑双极型电路辐射可靠性的机理研究与定量评估.

关键词：双极晶体管、总剂量效应、统计特性、关联

所属期刊栏目：70

分类号：TN43;TN322;R446.1

资助基金：科学挑战计划;资助的课题

在线出版日期：2021-07-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：357-362