MgO基磁性隧道结温度-偏压相图的理论研究

摘要：

MgO基磁性隧道结是自旋电子器件研究的热点问题,其温度特性和偏压特性在实际应用中极其重要.因此,亟需在理论上计算得到MgO基磁性隧道结的温度-偏压相图.本文构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论.该理论将单晶势垒层视作周期性光栅,利用光学衍射理论处理势垒层对隧穿电子的衍射,因此可以很好地计入隧穿电子波的相干性.根据此理论,同时计入温度和偏压的影响计算了MgO基磁性隧道结的温度-偏压相图.理论结果表明,通过调节MgO基磁性隧道结的铁磁电极半交换劈裂能D、化学势μ以及势垒层周期势v(Kh)可以优化其温度特性和偏压特性.该结果为MgO基磁性隧道结的应用提供了坚实的理论基础.

关键词：磁性隧道结、隧穿磁阻效应、温度效应、偏压效应

所属期刊栏目：70

分类号：TN364+.2;O325;TK79

资助基金：国家自然科学基金;资助的课题

在线出版日期：2021-06-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：268-273