GaN肖特基二极管的正向电流输运和低频噪声行为

摘要：

首先测量了GaN肖特基二极管的正向变温电流-电压特性,研究了其电流输运机制,然后分析了在不同注入电流条件下的低频噪声行为.结果表明:1)在正向高电压区,热发射机制占主导,有效势垒高度约为1.25 eV;2)在正向低偏压区(V<0.8 V),与位错相关的缺陷辅助隧穿电流占主导,有效势垒高度约为0.92 eV(T=300 K);3)在极小电流(I<1μA)和极低频率(f<10 Hz)下,洛伦兹型噪声才会出现;电子的渡越时间取决于多个缺陷对电子的不断捕获和释放过程,典型时间常数约为30 ms(I=1μA);4)在更高频率和电流下,低频1/f噪声占主导;电流的输运主要受到势垒高度的随机波动的影响,所对应的系数约为1.1.

关键词：GaN基肖特基二极管、输运机制、低频噪声

所属期刊栏目：70

资助基金：国家自然科学基金;北京智芯微电子科技有限公司实验室开放基金资助的课题

在线出版日期：2021-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：355-361