铜掺杂Cu2SnSe4的热电输运性能

摘要：

Cu2SnSe4化合物具有本征的低热导率和可调控的电导率, 同时不含稀贵元素、无毒和价格低廉, 具有作为中温区热电材料的潜力. 本文通过高能球磨结合放电等离子烧结制备了Cu2SnSe4以及Cu掺杂的Cu2+xSnSe4块体材料(0.2≤x≤1). 研究了Cu掺杂填充Cu/Sn位置上1/4本征空位对Cu2+xSnSe4热电性能的影响, 发现Cu/Sn中1/4空位能够被Cu完全填满(x = 1), 且Cu掺杂能够大幅度地提升(可达两个数量级)样品的电导率, 从而显著提高了功率因子. 同时, 发现在大Cu掺杂量范围(0.1≤x≤0.8)内, Cu2+xSnSe4电导率增长与掺杂量增加呈线性关系, 且载流子迁移率随Cu掺杂量的增加而增加. 进一步的研究发现, 载流子在Cu2+xSnSe4中的电输运行为遵循电子-声子耦合的小极化子模型.

关键词：Cu2SnSe4、热电性能、小极化子跃迁

所属期刊栏目：69

在线出版日期：2020-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：253-260