基于水热法制备三氧化钼纳米片的人工突触器件

摘要：

近年来, 在神经形态电子中, 能够模拟突触功能的人工突触器件的研发引起了广泛关注. 本文利用水热法制备出高比表面积的基于MoO3纳米片的薄膜, 并将其用于人工突触器件的制备, 成功模拟了如: 突触后兴奋电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF)、脉冲持续时间依赖可塑性(SDDP)、脉冲电压依赖可塑性(SVDP)及脉冲速率依赖可塑性(SRDP)等神经突触的重要功能.

关键词：人工突触、水热合成、三氧化钼纳米片、突触可塑性

所属期刊栏目：69

资助基金：广东省重点领域研发项目;天津市杰出青年科学基金;天津市自然科学基金;中央高校基本科研业务费

在线出版日期：2020-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

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