CH3NH3PbBr3纳米线中束缚激子g因子的各向异性

摘要：

有机-无机杂化钙钛矿材料与其他半导体材料相比具有高的缺陷容忍率,在太阳能电池、发光二极管、低阈值激光器等领域有重要的应用前景.通常情况下,钙钛矿材料是通过溶液法合成的,这种方法虽然可以得到性能优异的钙钛矿器件,但同时也会在合成过程中产生大量缺陷.尽管目前在理论和实验上对钙钛矿材料的缺陷做了很多研究,但对单个缺陷附近的束缚激子发光问题的研究较少.本文通过共聚焦显微系统研究了低温(4.2 K)下单根钙钛矿纳米线的荧光光谱,观测到来自于缺陷周围束缚激子的窄线宽和高强度的荧光峰,同时观测到了磁场下的塞曼分裂和抗磁现象,并通过施加矢量磁场发现了束缚激子的g因子存在各向异性.单个束缚态激子的磁光性质的研究为深入理解束缚激子在量子光源以及自旋电子学中的应用提供了依据.

关键词：钙钛矿纳米线、磁光光谱、g因子各向异性、抗磁效应

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资助基金：国家自然科学基金;中国科学院先导项目;中国科学院仪器研制项目;中国科学院创新交叉团队项目;广东省重点研发计划

在线出版日期：2020-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：219-226