磁电势垒结构中光场辅助电子自旋输运特性
基于Floquet理论和传输矩阵方法,理论研究了光场对电子隧穿两类磁电垒结构的自旋极化输运特性的影响,计算结果表明光场对两类磁电垒结构中电子的输运有显著影响:首先,原来不存在自旋过滤特性的结构应用光场后会产生低能区域明显的自旋过滤效应;其次,原来存在自旋过滤特性的结构应用光场后自旋过滤明显增强,增幅超过一个数量级.这些为新的自旋极化源的产生和自旋过滤现象的深入研究有一定的指导性意义.
自旋过滤、自旋极化、磁电垒、光场
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国家自然科学基金;北京市教育委员会科技计划一般项目;低维量子物理国家重点实验室开放研究基金资助课题
2020-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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