硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长

摘要：

纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长,锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否,以及纳米线尺寸的影响.

关键词：分子束外延、量子比特、图形衬底、锗硅纳米线

所属期刊栏目：69

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：256-261