He离子辐照对石墨烯微观结构及电学性能的影响

摘要：

本文采用5.4 keV不同剂量的He离子辐照单层石墨烯,利用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)和半导体参数分析仪表征辐照前后石墨烯微观结构和电学性能变化.研究结果表明:随着辐照剂量增大,单层石墨烯的缺陷密度逐渐增加,当辐照剂量增至1.6×1013 He+/cm2,石墨烯开始由纳米晶结构向无定形碳结构转变,不断增多的缺陷致使石墨烯电导率持续降低,其电子输运机制也由玻尔兹曼扩散输运转变为跃迁输运;狄拉克电压(Vdirac)向正电压方向的偏移量随辐照剂量增大而增大,其主因是辐照缺陷和吸附杂质导致石墨烯P型掺杂效应增强.

关键词：石墨烯、He离子辐照、微观结构、电学性能

所属期刊栏目：69

资助基金：国家自然科学基金批准号:11605116

在线出版日期：2020-06-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：311-316