基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应

摘要：

基于双脉冲技术,研究了GaN缓冲层陷阱对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应的影响.结果表明,栅边缘漏侧的电场峰值使得沟道电子跃迁至缓冲层,并被缓冲层中的陷阱俘获是造成电流崩塌的主要原因之一.提出了势垒层局部凹槽结构,降低了栅边缘漏侧的电场峰值,使电场分布更加均匀,改善了器件的电流崩塌效应.与传统AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构相比,新器件结构对电流崩塌效应的抑制作用至少提升了22.30％.

关键词：AlGaN/GaN、高电子迁移率晶体管、电流崩塌效应、缓冲层陷阱

所属期刊栏目：68

分类号：TN3;TE8

资助基金：陕西省重点研发计划2019GY-060资助的课题

在线出版日期：2020-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：347-353