阳极磁屏蔽对阳极层霍尔推力器内磁极刻蚀的影响

摘要：

利用PIC与溅射模拟相结合的方法,研究阳极层霍尔推力器的阳极磁屏蔽对内磁极刻蚀速率的影响.通过磁屏蔽技术,改变了阳极表面的磁场位形分布,提高了推力器磁镜场的磁镜比和中轴线上的正梯度的磁场宽度.磁镜比是原来的1.4倍,且增加了两个鞍形磁场区域.在放电电压900V,工作气压2×10-2Pa时,仿真结果表明:在阳极磁屏蔽的情况下,大部分轰击内磁极的离子能量概率分布范围在40 260 eV之间,比无屏蔽下的40-360 eV下降了将近100 eV;入射角余弦值的最大概率分布从0.1附近的小范围(入射角84°)扩展到0.1 0.45(入射角84°63°)的大范围;阳极屏蔽后的内磁极最大刻蚀速率是6.1×10-10 m/s,比无磁屏蔽时的16×10-10m/s降低了38.2％.无磁屏蔽下的仿真结果和实验结果具有很好的一致性.

关键词：阳极层霍尔推力器、磁屏蔽、入射离子能量、刻蚀速率

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资助基金：国家自然科学基金11775073;四川省科技厅项目2019YJ0705资助的课题

在线出版日期：2019-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：226-232