InGaZnO薄膜晶体管背板的层间Cu互连静电保护研究

摘要：

InGaZnO薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistor,IGZO TFT)与Cu互连组合的驱动背板,在生产线机台上的抗静电放电(electrostatic discharge,ESD)耐压能力比传统a-Si TFT背板低将近一个数量级电压,数据线和扫描线层间Mo/Cu互连抗击穿电压只有传统a-Si TFT背板层间Mo/Al/Mo互连的60％ 左右.层间Cu互连的ESD破坏成为影响IGZO TFT超高清面板正常显示的一个重要因素.本文建立了扫描线层Cu金属扩散进入SiNx/SiO2绝缘层和数据线层Cu金属在爬坡拐角处扩散进入SiO2绝缘层,诱发层间Cu互连ESD破坏的机理模型.提出了Cu互连周边ESD保护电路架构三种基本结构的选型条件,以及保证层间Cu互连抗ESD击穿能力的ESD保护电路设计方法.利用本文提出的方法,有效降低了IGZO TFT背板的层间Cu互连ESD破坏风险.

关键词：InGaZnO薄膜晶体管、Cu互连、SiO2绝缘层、静电放电

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资助基金：国家自然科学基金批 准 号 : 61574003, 61774010 和 深 圳 市 科 学 计 划 基 金 批 准 号 : GGFW20170728163447038, JCYJ20180504165449640 资助的课题

在线出版日期：2019-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：184-192