蓝紫光发光二极管中的低频产生-复合噪声行为研究
本文对GaN基InGaN/GaN多量子阱结构、蓝紫光发光二极管(light-emitting diode,LED)的电流噪声进行了测试,电流测试范围为0.1—180 mA.根据电流噪声的特点,结合LED中载流子之间的产生-复合机制,探讨了电流注入下LED中载流子的产生与复合机制和低频噪声产生的机理.结论表明,随着电流从0.1 mA逐渐增大到27 mA,LED中的电流噪声具有低频产生-复合(generation-recombination,g-r)噪声的特性;当电流逐渐增大到50 mA及以上时,电流噪声的行为接近1/f噪声.采用电子元器件中公认的电流噪声模型,拟合了低频电流噪声功率谱密度与频率之间的关系,结合LED中载流子的输运机理和复合机制,从理论上分析了LED在电流注入时g-r噪声幅值和转折频率的变化规律.本文的结果提供了一种检测和表征多量子阱结构蓝紫光LED在电流逐渐增大过程中发光机制转变的有效手段,为提高其发光量子效率提供理论依据.
低频噪声、发光二极管、产生-复合噪声、复合机理
68
2019-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
273-278