基于N型纳米晶硅氧电子注入层的钙钛矿发光二极管

摘要：

钙钛矿材料由于其禁带宽度可调、光致发光量子产率高、色纯高等优点,使得其在发光器件上具有巨大的应用潜力.电子注入材料是钙钛矿发光器件中的重要组成部分,特别是n-i-p型发光器件,其直接影响后面钙钛矿的生长情况.本文通过向钙钛矿发光二极管中引入一种新型电子注入材料,n型纳米晶硅氧(n-nc-SiOx:H).借助于n-nc-SiOx:H薄膜平滑的表面,有效地提高了沉积钙钛矿薄膜的结晶质量,同时其能带结构更加匹配,有效地降低了电子的注入势垒.为了进一步提升器件性能,向钙钛矿材料中引入合适比例的甲基溴化胺(MABr)、氯苯反溶剂中引入一定量的苯甲胺(PMA),通过MABr和PMA的协同作用提高了钙钛矿薄膜的覆盖率,降低了钙钛矿薄膜表面的缺陷密度,抑制了钙钛矿薄膜退火过程中的发光猝灭,最终获得了最大电流效率为7.93 cd·A-1、最大外量子效率为2.13％ 的n-i-p型钙钛矿发光二极管.

关键词：钙钛矿、发光二极管、n、型纳米晶硅氧、光致发光量子产率

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资助基金：国家重点研发计划2018YFB1500103;国家自然科学基金61674084;高等学校学科创新引智计划111计划B16027;天津市科技计划项目18ZXJMTG00220;中央高校基本科研业务费63191736,ZB19500204资助的课题

在线出版日期：2019-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：263-272