应力调控下二维硒化锗五种同分异构体的第一性原理研究

摘要：

采用第一性原理计算方法,研究了二维单层硒化锗(GeSe)的5种同分异构体结构的稳定性和在应力调控下的电子性质变化规律.计算结果表明:5种同分异构体结构都具有热力学稳定性;α-GeSe是直接带隙半导体,β-GeSe,γ-GeSe,δ-GeSe和ε-GeSe都是间接带隙半导体.α-GeSe在应力调控下出现了直接到间接带隙的转变和半导体到金属性质的转变.β-GeSe和γ-GeSe在应力的作用下具有可调节的间接带隙范围.当沿δ-GeSe双轴方向施加压缩应力为1％和4％时,δ-GeSe的能带从间接带隙转变成直接带隙.通过沿ε-GeSe的扶手椅形方向施加10％的拉伸应变,出现了从间接带隙到直接带隙的转变;继续增加拉伸应变到20％,能带结构一直保持直接带隙的特征,其可调范围为1.21-1.44 eV.沿δ-GeSe双轴方向施加10％拉伸应变时,也出现了从间接带隙到直接带隙的转变;该直接带隙在双轴拉伸应变增加到19％前一直保持,可调范围为0.61-1.19 eV.

关键词：第一性原理、单层GeSe、应变、电子性质

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资助基金：国家自然科学基金11471280;湖南省教育厅重点项目17A207;湖南省自然科学基金2018JJ2130资助的课题

在线出版日期：2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：81-91