InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型

摘要：

研究了非晶氧化锌镓铟薄膜晶体管(amorphous InGaZnO thin-film transistor, InGaZnO TFT)的泄漏电流模型. 基于Poole-Frenkel热发射效应和热离子场致发射效应的泄漏电流产生机制, 分别得到了高电场和低电场条件下的载流子产生-复合率. 在此基础上推导得到了InGaZnO TFT的分段式泄漏电流-电压数学模型,并利用平滑函数得到了关断区和亚阈区连续统一的泄漏电流模型. 所提出的泄漏电流模型的计算值和TCAD模拟值与实验结果较为吻合. 利用所提出的InGaZnO TFT泄漏电流模型和TCAD模拟, 讨论了InGaZnO TFT不同的沟道宽度、沟道长度和栅介质层厚度对泄漏电流值的影响. 研究结果对InGaZnO TFT集成传感电路的设计具有一定参考价值.

关键词：InGaZnO、泄漏电流、thin-film transistor、器件模型

所属期刊栏目：68

资助基金：国家重点研发计划2017YFA0204600;国家自然科学基金61404002;中南大学中央高校基本科研业务费2018zzts344资助的课题

在线出版日期：2019-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：213-219