光子重吸收对硅片的光载流子辐射特性影响的理论研究

摘要：

光载流子辐射技术已广泛应用于半导体材料性能的表征,本文基于一种包含光子重吸收效应的光载流子辐射理论模型,对单晶硅中光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响进行了详细的理论分析.分析结果表明,光子重吸收效应对光载流子辐射信号的影响主要取决于样品掺杂浓度、过剩载流子浓度和过剩载流子的分布.由于过剩载流子浓度及其分布与材料电子输运特性密切相关,电子输运参数的变化将导致光子重吸收效应的影响随之变化.进一步分析了光子重吸收效应对具有不同电子输运特性的样品的电子输运参数的影响,并提出了减小光子重吸收效应影响的方法.

关键词：光载流子辐射、光子重吸收、电子输运参数、自由载流子吸收、硅片

所属期刊栏目：68

分类号：O473;TN822.8;TN362

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;重点实验室项目;西安工业大学校长基金;西安工业大学校长基金;资助的课题

在线出版日期：2019-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：251-261