不同硅晶面指数上的类倒金字塔结构研究与分析
晶体硅作为一种重要的半导体材料,在集成电路、太阳能电池等方面具有广泛的应用.基于各向异性的刻蚀方法,不同晶面指数的硅都可以在表面形成由{111}晶面族组成的正/倒金字塔.本文基于{111}晶面族与(abc)晶面相交构成类倒金字塔结构的特性,建立了硅的晶面指数(abc)与所形成的类倒金字塔结构的数学模型.将硅的晶面指数(abc)分成0≤a≤b<c,0≤a<b=c,a=b=c三种情况进行讨论,分别得到不同晶面指数的类倒金字塔结构.实验结果的扫描电子显微镜图证实了理论计算的准确性.晶面指数与类倒金字塔结构具有一一对应的关系,因此可以根据各向异性刻蚀后的类倒金字塔结构,进行硅的晶面指数进行检测.
硅的晶面检测、硅的晶面指数、类倒金字塔
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国家自然科学基金11675280,11674405;江苏省科技成果转化项目BA2017137资助的课题
2018-12-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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