8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

摘要：

低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM)和扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟产额进行对比,发现基于ODM理论模型的模拟产额与实验值有较大的偏差,基于DWBA理论模型的模拟产额与实验结果符合较好.根据实验产额和基于DWBA理论模型的模拟产额的比较结果,对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA理论模型数据库进行修正后再进行模拟和比较,从而得到可靠的8—9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面数据.

关键词：正电子碰撞厚Ti靶、K壳层电离、蒙特卡罗模拟、扭曲波玻恩近似理论模型

所属期刊栏目：67

资助基金：国家自然科学基金11275071;华北电力大学大学生创新创业训练计划项目2016-153;中央高校基本科研业务费专项资金2018ZD10资助的课题

在线出版日期：2018-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：93-100