65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管 总剂量效应及损伤机制

摘要：

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管、60Coγ辐照、辐射损伤、数值仿真

所属期刊栏目：67

资助基金：国家自然科学基金重大项目11690043;强脉冲辐射模拟与效应国家重点实验室SKLIPR1505Z资助的课题

在线出版日期：2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：235-242