采用快速升温烧结方法生长Tl-1223超导薄膜的研究

摘要：

报道了在铝酸镧(00l)衬底上生长Tl-1223超导薄膜的快速升温烧结方法以及铊(Tl)源陪烧靶的配比对Tl-1223薄膜晶体结构的影响.扫描电子显微镜观测表明,采用快速升温烧结方法生长的Tl-1223超导薄膜具有致密的晶体结构.X-射线衍射等测试表明,采用合适配比的陪烧靶在氩气环境下可以制备出纯c轴取向的Tl-1223超导薄膜,充氧退火后的薄膜具有较好的电学性能,其临界转变温度Tc onset达到116 K,临界电流密度达到1.5 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用这一新的烧结方法制备Tl系超导薄膜具有升降温时间和恒温时间短、生产成本低等特点.

关键词：Tl-1223超导薄膜、铝酸镧基片、快速升温烧结方法

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资助基金：国家自然科学基金51062001,11264009;广西自然科学基金2015jjDA10001;广西教育厅科研基金KY2015ZD076;广西高校新型电功能材料重点实验室开放基金DGN201702资助的课题

在线出版日期：2018-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：239-246