基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器

摘要：

磁电耦合效应是指磁场控制电极化或者电场控制磁性的物理现象,它们为开发新型电子器件提供了额外的物理状态自由度,具有巨大的应用潜力.磁电耦合系数作为磁电耦合材料的重要参量,体现了材料磁化和电极化的耦合性能,其随外加物理场的变化可以表现出非线性回滞行为,具备作为非易失存储的物理状态特征.本文讨论了基于磁电耦合效应如何建立起电荷-磁通之间的直接关联,继而实现了第四种基本电路元件并构建了完整的电路元件关系图.在此基础上,研究了多铁性异质结中的非线性磁电耦合效应,并利用其独特的电荷-磁通关联特性,开发了基于磁电耦合系数的电写-磁读型非易失性信息存储、逻辑计算与类神经突触记忆等一系列新型信息功能器件.

关键词：磁电耦合、非易失性存储、忆耦器、电耦

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资助基金：国家自然科学基金11534015,51671213,51725104;国家重点研发计划2016YFA0300701;中国科学院战略性先导科技专项B类XDB07030200资助的课题

在线出版日期：2018-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共16页

页码：197-212