纳米材料及HfO2基存储器件的原位电子显微学研究
总结了我们将原位技术和透射电子显微学分析方法相结合,针对纳米材料和器件的结构、形貌、成分以及电势分布等物理性质的动态行为所开展的综合物性表征和分析工作.主要成果有:揭示了C60纳米晶须在焦耳热作用下的结构相变路径;观察到了电荷俘获存储器中的电荷存储位置以及栅极电压诱导的氧空位缺陷;研究了阻变存储器中氧空位通道的形成过程以及导电通道的开关机理.这些成果不但有助于深入理解纳米材料和器件相关功能的物理机理,改善其工作性能,更展示了透射电子显微学在微电子领域强大的研究能力.
透射电子显微学、原位、纳米材料、微电子器件
67
国家重点研发计划2016YFA0300701;国家重点基础研究发展计划2013CB932904,2012CB932302,2010CB934202;国家自然科学基金11374343,61421005,11574376,11174336,61334007,10974235,11274365资助的课题
2018-07-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共16页
128-143