Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的 热力学分析

摘要：

在As4束流等效压强为1.2×10?3 Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al0.17 Ga0.83 As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545?C(±1?C);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝T.退火温度540?C条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545?C时,推测退火时间约为55—60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al0.17 Ga0.83 As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.

关键词：AlGaAs、薄膜、退火

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资助基金：国家自然科学基金61564002, 11664005, 61604046;贵州省科学技术基金黔科合J字[2014]2046,黔科合LH字[2016]7436, 黔科合基础[2017]1055资助的课题

在线出版日期：2018-05-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：36-42