晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

摘要：

研究并制备了不同晶面偏角的Si(111)单晶,经过研磨和抛光使表面粗糙度低至3.4?达到超光滑水平,消除了表面和亚表面损伤层以及其所产生的应力变化.利用高精度X射线衍射仪分别测定了在不同晶面偏角条件下衍射曲线的半高全宽和积分宽度.应用Voigt函数法分析计算了微观应变,通过理论计算和实验对比可知,Si(111)单晶在晶面偏角达到0.749?时,偏角本身所带来的衍射峰半高全宽变化使计算出的应变值误差大于5%.研究结果为其他晶体类似研究提供了重要参考.

关键词：晶面偏角、应变、衍射曲线

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资助基金：国家自然科学基金11575127;国家重点研发计划批准号:2017YFA0403304资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11575127;the National Key R&D Program of ChinaGrant 2017YFA0403304

在线出版日期：2018-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：197-206