高分辨紫外电子轰击互补金属氧化物半导体器件的实验研究

摘要：

基于真空紫外光电阴极和背照式互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器研制了紫外光响应的电子轰击CMOS(EBCMOS)器件,实现了EBCMOS器件在40 mlx光照度环境下的高分辨探测,电子图像灰度随电子能量的变化呈现出极好的线性关系.对器件成像分辨率测试的结果表明,在电场强度为5000 V/mm时,器件的空间分辨率可以达到25 lp/mm,与国际相关报道水平相当.研制的EBCMOS器件可直接在紫外弱光探测领域应用,如天文观察、高能物理、遥感测绘等,同时也可为下一步研制可见光和近红外敏感的EBCMOS器件提供参考.

关键词：互补金属氧化物半导体、电子轰击增益、微光成像、紫外探测

所属期刊栏目：67

分类号：TN3;TH1

资助基金：国家自然科学基金11304374;中国科学院创新基金批准号:CXJJ-16S015资助的课题.Project supported by the Young Scientists Fund of the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11304374;the Innovatioan Foundation of the Chinese Academy of SciencesGrant CXJJ-16S015

在线出版日期：2018-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：168-174