负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

摘要：

通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为–11.54.

关键词：HgCdTe、Shubnikov-de Haas振荡、零场自旋分裂能

所属期刊栏目：66

分类号：TN3;TB3

资助基金：国家重点研发计划2016YFA0202201;国家自然科学基金批准号:11774367资助的课题. Project supported by the National Key R&D Program of ChinaGrant 2016YFA0202201;the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 11774367

在线出版日期：2018-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：237-243