掺钨VO2薄膜的电致相变特性

摘要：

采用直流磁控溅射与后退火工艺相结合的方法,在掺氟SnO2(FTO)导电玻璃基底上制备了高质量的掺钨VO2薄膜,对薄膜的结构、表面形貌和光电特性进行测试,分析了钨掺杂对其相变性能的影响.结果表明,室温下掺钨VO2薄膜的阈值电压为4.2 V,观察到阈值电压下约有两个数量级的电流突变.随着温度升高,相变的阈值电压降低,且电流突变幅度减小.当施加8 V电压时,分别在不同温度下测试了掺钨VO2薄膜的透过率.温度为20和50℃ 时,掺钨VO2薄膜相变前后的红外透过率差量分别为23%和27%.与未掺杂的VO2薄膜相比,掺钨VO2薄膜具有相变温度低、阈值电压低和电阻率小的特点,在高速光电器件中有广阔的应用前景.

关键词：掺钨VO2、薄膜、电致相变、阈值电压、光透过率

所属期刊栏目：66

分类号：TQ1;TG1

资助基金：国家高技术研究发展计划2006AA03Z348;教育部科学技术研究重点项目207033;上海市科学技术委员会科技攻关计划06DZ11415;上海市教育委员会科技创新重点项目 批准号: 10ZZ94 和上海领军人才培养计划 批准号:2011-026 资助的课题. Project supported by the National High Technology Research and Development Program of ChinaGrant 2006AA03Z348;the Foundation for Key Program of Ministry of Education, ChinaGrant 207033;the Science and Technology Research Project of Shanghai Science and Technology Commission, ChinaGrant 06DZ11415;the Key Science and Technology Research Project of Shanghai Education Committee, ChinaGrant 10ZZ94;the Shanghai Talent Leading Plan, ChinaGrant 2011-026

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：307-316