氢化非晶硅薄膜晶体管的低频噪声特性

摘要：

针对氢化非晶硅薄膜晶体管(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT)的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/fγ(f为频率,γ ≈0.92)的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型(?N-?μ 模型),在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×1018和1.26×1018 cm-3·eV-1,特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.

关键词：非晶硅、薄膜晶体管、低频噪声、局域态密度

所属期刊栏目：66

分类号：TN3;TN2

资助基金：国家自然科学基金61574048;广东省科技重大专项 批准号: 2015B090912002 和广州市珠江科技新星专项 批准号:201710010172 资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61574048;the Science and Tech-nology Research Project of Guangdong, ChinaGrant 2015B090912002;the Pearl River S&T Nova Program of Guangzhou, ChinaGrant 201710010172

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：281-289