单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究
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单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究

引用
采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(Voc)为575 mV,短路电流密度(Jsc)为8.32 mA/cm2,光电转换效率达到1.82%.

铜锌锡硫、磁控溅射、原位退火、太阳电池

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the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61774130,11474248,61176127,61006085;the Key Program for International S&T Cooperation Projects of ChinaGrant 2011DFA62380;the Ph.D.Programs Foundation of Ministry of Education of China Grant No.20105303120002.国家自然科学基金61774130,11474248,61176127,61006085;国际科技合作重点项目2011DFA62380;教育部博士点基金20105303120002资助的课题

2018-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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1000-3290

11-1958/O4

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2017,66(22)

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