苝四甲酸二酐薄膜电子结构的同步辐射共振光电子能谱研究

摘要：

利用基于同步辐射的近边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)和共振光电子谱(RPES)研究了苝四甲酸二酐分子(PTCDA)薄膜的电子结构.碳K边NEXAFS谱中能量小于290 eV的四个峰对应于PTCDA分子不同化学环境碳原子1s电子到未占据分子轨道的共振跃迁.RPES谱中观察到共振光电子发射和共振俄歇电子发射导致的共振峰结构,以及二次谐波激发的碳1s信号.根据电子动能对入射光能量的依赖性分别对三类峰结构进行了归属.同时,发现PTCDA分子轨道共振光电子峰的强度具有光子能量依赖性.这种能量选择性共振增强效应是由于PTCDA分子轨道空间分布差异导致的.共振俄歇峰主要源于高结合能(＞4.1 eV)分子轨道能级电子参与的退激发过程.明确RPES实验谱图中各个峰结构的起源有助于准确利用基于RPES的芯能级空穴时钟谱技术定量估算有机分子/电极异质界面处电子从分子未占据轨道到电极导带的超快转移时间.

关键词：有机半导体、近边吸收精细结构谱、共振俄歇、同步辐射光电子能谱

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资助基金：the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .11574317,21503233;Anhui Provincial Natural Science Foundation,ChinaGrant 1608085MA07;the Natural Science Foundation from the Education Bureau of Anhui Province,China Grant No.KJ2016A143.国家自然科学基金11574317,21503233;安徽省自然科学基金1608085MA07;安徽高校自然科学研究项目KJ2016A143资助的课题

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：178-184