二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件

摘要：

微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年,正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内,部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点,有望给“后摩尔时代”微电子器件带来新的技术变革.其中,以MoS2为代表的过渡金属硫化物具有1-2 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性,在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展,重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状,并为今后的发展指出了方向.

关键词：过渡金属硫族化合物、晶体管、迁移率、逻辑集成

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资助基金：家自然科学基金61325020,61521001;国家重点基础研究发展计划批准号:2013CBA01604,2015CB351900资助的课题.Project support by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .61325020,61521001;the National Basic Research Program of ChinaGrant .2013CBA01604,2015CB351900

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共22页

页码：236-257