双层石墨烯的化学气相沉积法制备及其光电器件

摘要：

石墨烯是一种具有优异性质,在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率,但是它的能带结构具有狄拉克锥(K点),即价带和导带并未有明显分离,所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件,在施加外加电场的情况下,它的带隙可以打开,并在一定范围内可调,这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯,在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作,其中包括最新的研究进展,对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论,并对该领域的发展进行了展望.

关键词：双层石墨烯、化学气相沉积法、器件、生长机理

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资助基金：国家自然科学基金21633012,21273243,51233006,61390500;国家重点研发计划2016YFA0200101;国家重点基础研究发展计划2013CB933500,2013CBA01602;北京市科技计划Z161100002116025;中国科学院先导专项B类项目批准号:XDB12030100资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .21633012,21273243,51233006,61390500;the National Key R&D Program of ChinaGrant 2016YFA0200101;the National Basic Research Program of ChinaGrant .2013CB933500,2013CBA01602;the Beijing Municipal Science and Technology Commission,ChinaGrant Z161100002116025;the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of SciencesGrant XDB12030100

在线出版日期：2018-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：157-170