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腔体双边二次电子倍增一阶与三阶模式瞬态特性对比

引用
为评估高阶模式二次电子倍增对加速器射频腔动态建场过程的影响,采用蒙特卡罗与粒子模拟相结合的方法对金属无氧铜腔体双边二次电子倍增一阶与三阶模式的瞬态演化及饱和特性进行了数值模拟对比研究.研究结果表明:二次电子倍增过程中,二次电子数目、放电电流、放电功率、沉积功率随时间呈现以指数形式快速增长后趋于饱和振荡的物理规律;相对一阶模式,三阶模式的饱和值更低且上升时间更长.放电电流存在延时现象,由此引发了二次电子倍增过程中部分充电现象的出现.统计发现平均放电功率等于平均沉积功率,三阶模式的放电功率大约是一阶模式1%的水平,由此判断加速器腔体动态建场过程中高阶模式的影响较小.二次电子倍增过程中,一阶模式呈现单电子束团加速运动特性,而三阶模式则呈现加速/减速/加速及多电子束团相向运动的复杂特性;二次电子倍增进入饱和后,三阶模式的空间电荷效应明显弱于一阶模式.

双边二次电子倍增、瞬态演化、蒙特卡罗方法、粒子模拟方法

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TN2;TQ1

国家自然科学基金批准号: 11475155, 11305015资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant . 11475155, 11305015

2017-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共12页

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

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2017,66(20)

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