CdZnTe像素探测器的电输运性能

摘要：

碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ 射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×1010?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对241 Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器.

关键词：碲锌镉、像素探测器、γ射线能谱响应

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分类号：TN3;TL8

资助基金：国家自然科学基金项目51502234, 51602242;凝固技术国家重点实验室西北工业大学开放课题批准号:SKLSP201410资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant . 51502234, 51602242;the Fund of the State Key Laboratory of Solidification Processing in Northwestern Polytechnical University, ChinaGrant SKLSP201410

在线出版日期：2017-11-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：232-239