氧空穴导致二氧化钒低温相带隙变窄

摘要：

具有一定能量的光照导致低温绝缘二氧化钒(VO2)发生绝缘体金属转变.本文通过密度泛函理论的Heyd-Scuseria-Ernzerhof杂化泛函方法对含氧空穴的低温绝缘VO2非磁M1相进行第一性原理研究.研究发现,含氧空穴的M1的晶格参数几乎不变,但氧空穴附近的长的V—V键长却变短了.进一步研究发现,尽管纯的非磁M1的带隙是0.68 eV,但含O1和O2位的氧空穴非磁M1带隙分别为0.23 eV和0.20 eV,同时含有O1和O2位氧空穴非磁M1带隙为0.15 eV,这很好地解释了实验结果.

关键词：氧空穴、二氧化钒、密度泛函理论

所属期刊栏目：66

分类号：O61;O64

资助基金：国家自然科学基金批准号U1332205,11274153,10974081,10979017;江苏科技大学博士科研启动项目批准号:JKD120114001资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant .U1332205,11274153,10974081,10979017;the Doctoral Research Project of JUST.JKD120114001

在线出版日期：2017-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：85-91