Nd-Ce-Fe-B纳米复合薄膜的磁性及交换耦合作用
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10.7498/aps.66.157502

Nd-Ce-Fe-B纳米复合薄膜的磁性及交换耦合作用

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采用磁控溅射技术制备了具有永磁特征的Nd-Ce-Fe-B多层纳米复合薄膜,并对其进行了退火处理.通过改变退火温度,研究其对薄膜磁性能和晶体结构的影响.结果表明,随着退火温度的提高薄膜磁性能逐渐增大,但当温度达到695℃以上时,薄膜的磁性能急剧下降.当退火温度为675℃时,薄膜的矫顽力Hci=10.1 kOe(1 Oe=79.5775 A/m),垂直于薄膜表面方向的剩余磁化强度4πMr⊥=5.91 kG(1 G=103/(4π)A/m).薄膜的X射线衍射结果表明,磁性薄膜具有较好的c轴取向.通过对薄膜磁化反转过程的研究,发现随着外加磁场的增大,Mrev的极小值向Mirr减小的方向移动,这与畴壁弯曲模型类似,表明在薄膜中存在较强烈的局部钉扎作用,而剩余磁化强度曲线表明这种钉扎作用在薄膜矫顽力机制中并不占支配作用.此外,薄膜的Henkel曲线结果表明在薄膜中存在较强的交换耦合作用,在经过685℃退火的薄膜中磁相互作用更加显著.

永磁薄膜、磁性能、磁化反转、交换耦合作用

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O48;TF7

国家重点基础研究发展计划批准号:2014CB643701和国家自然科学基金批准号:51571064资助的课题. Project supported by the National Basic Research Program of ChinaGrant No. 2014CB643701 and the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 51571064

2017-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

273-281

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

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2017,66(15)

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