空位缺陷对β-AgVO3电子结构和光吸收性能的影响

摘要：

基于密度泛函的第一性原理研究了Ag空位、O空位和Ag-O双空位对β-AgVO3的电子结构及光学性质的影响.采用广义梯度近似平面波超软赝势GGA+U方法,对不同缺陷体系的形成能、能带结构、电子态密度、差分电荷密度和吸收光谱进行了计算和分析.通过比较不同Ag空位和O空位的形成能,确定了β-AgVO3中主要形成Ag3空位和O1空位,并且Ag空位较O空位更容易形成.Ag3空位和O1空位的存在都使得β-AgVO3带隙有一定程度的减小;Ag3空位使β-AgVO3呈现p-型半导体性质,而O1空位和Ag3-O1双空位使β-AgVO3呈现n-型半导体性质.Ag3和O1空位对晶体在可见光范围内的光吸收影响较小.

关键词：β-AgVO3、密度泛函理论、电子结构、光吸收

所属期刊栏目：66

分类号：O4 ;O64

资助基金：国家自然科学基金U1510132, 51401142, 11604235;山西省自然科学基金批准号:2015021027, 2016021030资助的课题. Project supported by National Natural Science Foundation of ChinaGrant . U1510132, 51401142, 11604235;the Natural Science Foundation of Shanxi, ChinaGrant . 2015021027, 2016021030

在线出版日期：2017-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：255-263