高度取向的半导体聚合物薄膜的溶液浸涂法生长及其电荷传输特性研究

摘要：

有效地控制有机半导体分子取向和堆积特性对实现高性能电子器件具有非常重要的意义,而发展简便高效的溶液相成膜技术是实现这一目的的重要途径.本文采用改进的溶液浸涂法,成功地成长出大面积宏观取向的半导体聚合物P(NDI2OD-T2和PTHBDTP薄膜.偏光显微镜和极化的紫外-可见光吸收谱测量显示,薄膜中聚合物分子主链骨架沿成膜时液面下移方向择优取向.原子力显微镜观察到聚合物薄膜由纳米尺度的取向有序晶畴构成,畴的取向与分子链的取向一致.采用衬底-溶液界面处表面张力和溶剂蒸发诱导的分子自组织过程来解释浸涂法生长聚合物取向薄膜的微观机理.使用取向的P(NDI2OD-T2薄膜制备场效应晶体管,显著地提高了电子迁移率(可达4倍),并实现高达19的迁移率各向异性度.这可归因于共轭的聚合物主链骨架择优取向引起电荷传导通路的变化.

关键词：半导体聚合物、分子取向、溶液浸涂法、有机场效应晶体管

所属期刊栏目：66

分类号：O63;TN3

资助基金：国家自然科学基金11574314, U1532156;中国科学院"百人计划"资助的课题. Project supported by the National Natural Science Foundation of ChinaGrant . 11574314, U1532156;the "100 Talents Project" of Chinese Academy of Science, China

在线出版日期：2017-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：245-254