简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟

摘要：

基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显著提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显著提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.

关键词：简并态锗、自发辐射、应变、掺杂

所属期刊栏目：66

分类号：O57;R81

资助基金：国家重点基础研究计划批准号:2013CB632103和国家自然科学基金批准号:61474094资助的课题. Project supported by the National Basic Research Program of ChinaGrant No. 2013CB632103 and the National Natural Science Foundation of ChinaGrant 61474094

在线出版日期：2017-08-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：235-244