同步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管电势模型研究

摘要：

研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管(InGaZnO thin film transistors,IGZO TFTs)的沟道电势,利用表面电势边界方程联合Lambert W函数推导得到了器件沟道电势的解析模型.该模型考虑了IGZO薄膜中存在深能态及带尾态等缺陷态密度,能够同时精确地描述器件在亚阈区(sub-threshold)与开启区(above threshold)的电势分布.基于所提出的双栅IGZO TFT模型,讨论了不同厚度的栅介质层和有源层时,栅-源电压对双栅IGZO TFT的表面势以及中心势的调制效应.对比分析了该模型的计算值与数值模拟值,结果表明二者具有较高的符合程度.

关键词：双栅薄膜晶体管、氧化铟镓锌、沟道电势、解析模型

所属期刊栏目：66

分类号：TN3;TN4

资助基金：湖南省科技计划批准号: 2015JC3041资助的课题.Project supported by the National Natural Science Foundation of China Grant 11504264

在线出版日期：2017-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：297-304